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반도체11

[임베디드/펌웨어] CRC(Cyclic Redundancy Check) CRC란? Cyclic Redundancy Check 약자로 직역하면 "순환 참조 검사"오류 검출 기술로 데이터 전송 시 오류 감지하는 데 사용 ECC와 차이는CRC는 Data Dectection만 가능하고 Correction기능은 없다는 것이다.📌 ECC(Error Correction Code) 란? [NAND Flash] ECC(Error Correction Code) 란?들어가며 Digital 신호 처리 과정에서 Error가 발생할 수 밖에 없다. NAND 세대가 거듭될수록 성능이 좋아지지만 그만큼 Error 증가도 있을 수 있기에 신뢰성 확보를 위해 높은 수준의 정정 능력이 필zoosso.tistory.com BackGroundData Path 상에서 DRAM bit-flip, NAND의 열화 .. 2024. 5. 6.

[임베디드/펌웨어] Flash 메모리 NAND vs NORFlash Memory는 크게 NAND Flash와 NOR Flash과 존재한다.NOR Flash는 소량의 데이터는 빠르게 찾아갈 수 있으나대용량화가 어렵기에 반도체 시장에서는NAND Flash가 가격 경쟁력 높아 우위를 점하고 있다. NAND Flash 특징Floating-Gate 트랜지스터에 전압이 가해지면서Cell의 Bit가 쓰여지거나 읽혀지게 된다. • 비휘발성(Nonvolatile)　휘발성 메모리인 RAM과 달리 전원 OFF에도 Data 저장 가능 • NAND Flash는 Block과 Page라는 단위 존재하는데Read / Write 단위가 다르다. 　→ Read / Write : page　→ Erase : block • 읽기와 쓰기 속도가 다르다　Erase > Write .. 2024. 5. 5.

[펌웨어/임베디드] 디램(DRAM) 특징 램(RAM)이란?Random Access Memory 약자로 저장된 자료를 읽거나 쓸 때순차적 접근(Sequential Access) 접근하지 않고임의(Random) 원하는 데이터에 접근할 수 있다. 임의 접근하기 때문에 속도가 빠른 특징이 있으며 주로 컴퓨터나 모바일 기기 CPU 연산을 담당한다. ROM (Read Only Memory)읽기만 가능한 메모리로CD, DVD와 같이 음악이나 영화 게임 등 소장 목적으로 사용된다.DRAM vs SRAMRAM의 대표적인 제품으로는 DRAM과 SRAM이 존재한다.• 데이터 유지를 위해 일정 시간마다 Refresh 필요 → D(Dynamic) 램• 전원이 공급되는 한 데이터 보존 → S(Static) 램 SRAM은 DRAM보다 속도는 빠르나셀의 크기가 크고 구조가.. 2024. 5. 4.

FUA (Force Unit Access) FUA (Force Unit Access) NVMe(Non-Volatile Memory Express) 명령 중 하나로 데이터의 무결성과 신뢰성을 보장하기 위해 사용된다. 일반적으로 시스템은 성능 향상을 내부 캐시나 버퍼를 사용 한다. 하지만 캐시는 전원 손실이나 장애 상황에서 데이터를 잃을 수 있다. FUA 필요성 FUA 명령어는 데이터를 읽을 때 캐시나 버퍼를 통해 읽는 것이 아니라 직접 디스크나 Flash 메모리에서 읽어오도록 강제한다. 읽은 데이터는 가장 최신이고 영구적으로 저장되었음을 보장한다. 예를 들어 "펌웨어 업데이트" 한다고 가정해보자. 새로운 Firmware 이미지를 안정적으로 디바이스에 쓰기 전에 펌웨어 이미지가 올바르게 읽혔는지 확인하기 위해 "Read FUA" 명령이 사용할 수 있.. 2024. 4. 2.

[NAND Flash] ECC(Error Correction Code) 란? 들어가며 Digital 신호 처리 과정에서 Error가 발생할 수 밖에 없다. NAND 세대가 거듭될수록 성능이 좋아지지만 그만큼 Error 증가도 있을 수 있기에 신뢰성 확보를 위해 높은 수준의 정정 능력이 필요하다. What is ECC Write할 때 ECC 값을 계산하여 Spare 영역에 계산값 저장 Read할 때 ECC 값을 다시 계산하여 저장한 값과 비교 다량의 Bit가 깨지면 고치기 어렵지만 1 Bit Error 수정, 2 Bit Error 검출이 가능하다. ECC 종류에는 Parity, Hamming, Cyclic, LDPC 등이 존재하며 신뢰성, 처리 속도, 저전력, 설계 비용 다양한 관점에서 알고리즘이 연구되고 있다. 📌 [NAND] SLC / MLC / TLC / QLC란? SLC /.. 2024. 2. 29.

[SDRAM의 발전] SDR과 DDR 차이 PC에서 RAM 구매 시, DDR3, DDR4 용어를 접할 수 있다. DDR 개념 이전에 Clock 개념을 간단히 살펴보자. 클럭은 일정한 주기로 0, 1을 반복한다. 장치간 데이터 전송은 이러한 Clock 주기에 맞춰 일어나고 1 클럭에 1개 전송된다고 했을 때, ex) 100MHz 주파수는 초당 100,000,000 클럭수를 의미한다. = 1초에 100,000,000개의 데이터 전송 SDR (Single Data Rate) 클럭 사이클에서 한 번만 read/write 작업 수행 이전 명령 완료 되어야 다른 read/write 작업 수행 DDR (Double Data Rate) • 1998년 출시 • 클럭 신호의 상승 및 하강 Edge에서 데이터 전송 • Rising Edge = (low → high).. 2023. 3. 10.

반도체 기업 유형 반도체 기업 유형 반도체는 여러 단계를 거쳐서 생산된다. 전 과정을 수행하는 기업도 존재하지만, 특정 단계만 전문적으로 다루는 기업도 존재한다. IDM (Integrated Device Manufacturer) 설계부터 제조까지 반도체 제품 생산의 전 과정을 다 하는 기업을 종합 반도체 회사라고 합니다. (설계 - 제조 - 웨이퍼 가공 - 패키징 - 테스트 - 판매) 반도체 산업은 크게 설계 + 제조로 구분할 수 있는데, 이 두가지를 모두 하는 회사를 IDM 이라고 보면 된다. 즉, 자체 생산뿐만 아니라 팹리스 고객들을 상대로 제품을 만드는 파운드리 산업도 진행한다. 대표적으로 회사로는 삼성전자가 있습니다. 팹리스(Fabless) FAB (Fabrication) 이라 불리는 생산 시설 없이 설계만 하는 .. 2021. 3. 11.

반도체 생산 과정 반도체 생산 과정 반도체는 설계부터 생산 및 검증까지 여러 단계를 거쳐서 제작된다. ① 상품 기획 : 어떤 Spec / 기능을 가진 제품을 만들지 결정 고객(DC, EP, Client, Mobile)에 따라 요구되는 성능이 다르다. ② 이전 단계에서 정한 스펙과 기능을 구현하기 위한 단계로 시뮬레이션을 거쳐 회로도를 만드는 회로 설계가 수행된다. ex) 신도시 비유: 도시의 목적에 따른 다양한 시스템의 개념적 설계 ③ 회로 설계를 바탕으로 실물 반도체를 배치 및 연결하는 레이아웃 설계 ex) 레이아웃 설계 = 이전 단계의 설계를 바탕으로 건물 배치 및 도로 연결해보는 것 ④ 레이아웃 설계가 끝난 후 실물 구현을 위한 공정설계 개발 ※ 웨이퍼 한 장에서 나오는 정상품 비율 = 수율 - 일반적으로 해당 단계.. 2021. 3. 10.

(메모리) 반도체 사이클 (메모리) 반도체 사이클 우리나라를 대표 산업 중 하나인 "메모리 반도체 산업" 반도체 산업이 늘 호황기를 가지는 것은 아니다. 반도체 산업도 다른 경제 시장과 마찬가지로 수요-공급 성향을 띕니다. ※ 관련 내용은 신문 기사로도 많이 접할 수 있습니다. ex) 반도체 수퍼사이클이 다가온다, 그 네가지 근거 Cycle = 호황과 불황을 반복하는 주기 메모리 반도체는 구조적으로 호황과 불황을 반복할 수 밖에 없음 과거 2017~2018년 찾아온 역대급 메모리 반도체 호황 시기 당시에는 스마트폰과 다양한 클라우드 서비스로 인해 데이터 센터쪽 수요가 폭증하였기 때문입니다. 즉, 신규 서비스 출현 → 메모리 수요 증가 (수요 증가) ex) 수요를 만족하기 위해 설비 투자(ex. 공장)를 하는데 해당 성과를 보기 .. 2021. 3. 9.

SLC / MLC / TLC / QLC란? SLC / MLC / TLC / QLC 저장 매체인 낸드 플래시(NAND Flash) 타입은 최소단위인 셀(Cell)에 몇 비트(bit) 저장할 수 있느냐에 따라 - SLC (Single Level Cell) → 1bit (1과 0, 2개) - MLC (Multi Level Cell) → 2bit (11~00, 4개) - TLC (Triple Level Cell) → 3bit, (111~000, 8개) - QLC (Quadruple Level Cell) → 4bit (1111 ~ 0000, 16개) '0'과 '1' 판단을 실제로는 전압을 통해서 판단합니다. 하나의 Cell에 1V전이 걸린다고 가정했을 때, - SLC: 0.5V 기준으로 1 ~ 0판단 - MLC: 0.25V 기준으로 11 ~ 00 판단 -.. 2021. 3. 8.

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