[임베디드/펌웨어] Flash 메모리

NAND vs NOR

Flash Memory는 크게 NAND Flash와 NOR Flash과 존재한다.

NOR Flash는 소량의 데이터는 빠르게 찾아갈 수 있으나

대용량화가 어렵기에 반도체 시장에서는

NAND Flash가 가격 경쟁력 높아 우위를 점하고 있다.

 

 

NAND Flash 특징

Floating-Gate 트랜지스터에 전압이 가해지면서

Cell의 Bit가 쓰여지거나 읽혀지게 된다.

 

• 비휘발성(Nonvolatile)

　휘발성 메모리인 RAM과 달리 전원 OFF에도 Data 저장 가능

 

• NAND Flash는 Block과 Page라는 단위 존재하는데

Read / Write 단위가 다르다. 

　→ Read / Write : page

　→ Erase : block

 

• 읽기와 쓰기 속도가 다르다

　Erase > Write > Read

 

• 덮어쓰기(Overwrite)가 되지 않는다.

　→ 그렇기에 데이터를 쓰기 전에 지워야 한다. (Erase Before Write)

 

• 수명 제한적 (Wearing-off)

　P/E (Program & Erase) 사이클마다 일부 전자가 오류로 트랜지스터에 갇히게 된다.

　갇힌 전자들이 쌓여서 일정 수준을 넘어서게 되면,

　해당 Cell은 사용 불가능한 상태가 된다.

　→ 삭제 연산 횟수가 제한적이기에 아무렇게 삭제할 수 없다.

 

• 구조적 특성상 생산단계 부터 사용할 수 없는 Bad Block 존재 (Init Bad Block)

　운영 중 Bad Block이 발생할 수 있다. (Run Time Bad Block)

 

 

📌 NAND Flash 종류

SLC / MLC / TLC / QLC란?

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